二氧化硅湿法刻蚀的片内及片间均匀性的改善

作者：张凌越; 王雷

来源：集成电路应用, 2018, 35(07): 42-44.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.07.011

• 集成电路制造
• 湿法刻蚀
• SiO2
• BOE
• 均匀性
• 流速
• 水流量

随着硅片尺寸的加大和工艺尺寸的不断缩小,硅片上薄膜的均匀性对产品的良率影响越来越大,湿法蚀刻均匀性也逐渐成为影响产品良率的一个关键参数。通过对化学清洗槽中刻蚀剂流速的优化,化学清洗槽之后水槽的去离子水水流量优化,去离子水水管设计优化都可显著改善二氧化硅薄膜湿法刻蚀的片内及片间刻蚀均匀性。二氧化硅薄膜(SiO2)湿法刻蚀速率片内均匀性与化学槽中刻蚀剂流速呈现抛物线关系,片间均匀性随化学槽中刻蚀剂流速增加而减少。当刻蚀剂流速为零时可获得最优的片内及片间刻蚀均匀性。同时,化学清洗槽之后水槽的去离子水的流量和水管设计优化也能改变二氧化硅薄膜湿法刻蚀的片内及片间刻蚀均匀性。