污秽参数对硅橡胶材料放电特性的影响规律

作者:戈灏; 周志成; 谭天; 龚瑞; 高嵩; 李春茂; 吴广宁
来源:绝缘材料, 2019, 52(12): 71-79.
DOI:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2019.12.013

摘要

基于人工污秽试验开展了污秽参数对硅橡胶材料放电特性影响规律的研究。首先,基于紫外脉冲原理搭建了放电紫外脉冲检测系统。在此基础上,研究了污秽程度与污秽分布对硅橡胶材料交/直流放电紫外脉冲与闪络特性的影响。结果表明:交/直流条件下,污秽程度越高,相同电压下硅橡胶材料的紫外脉冲数越多,闪络电压越低。硅橡胶材料的污层存在洁净干带时紫外脉冲数更多,更易发生闪络。在交流与直流条件下,洁净干带位置对硅橡胶材料放电特性的影响完全不同,在交流条件下,洁净干带位于高压端和低压端时,紫外脉冲数和闪络电压大致相同,洁净干带位于中间位置时紫外脉冲数最多,闪络电压最低;在直流条件下,洁净干带分别位于低压端、中间位置、高压端时,紫外脉冲数依次减少,闪络电压依次升高。相同电压下,中间单洁净干带样品比中间双洁净干带样品的紫外脉冲数更多,闪络电压更低。在不同污秽程度及污秽分布下,紫外脉冲数与闪络电压均具有较高的一致性,紫外脉冲法可用于检测硅橡胶材料的污秽状态。