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摘要
本实用新型公开了基于金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS-HEMT器件；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜,第一栅介质层的厚度为5-15nm；第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜,第二栅介质层的厚度为5-15nm；本实用新型采用金属氧化物/SiO2的叠层介质结构,减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤,使其适用于GaN基HEMT器件的制备；同时弥补了SiO2介电常数低的缺陷,使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。
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