Ge掺杂Sm0.2Ce0.8O1.9电解质材料制备与性能研究

作者:邓苏亚; 王玮; 蔡长焜; 刘媛媛; 谢满意; 薛柯; 安胜利
来源:内蒙古科技大学学报, 2022, 41(02): 126-132.
DOI:10.16559/j.cnki.2095-2295.2022.02.005

摘要

采用溶胶凝胶法合成了不同Ge含量的GexSm0.2Ce0.8-xO1.9(x=0~0.04,xGSDC)电解质粉体.XRD结果表明:Ge4+在xGSDC电解质中的固溶度低于4%;SEM和致密度结果分析表明1GSDC比SDC具有更高的致密度,Ge掺杂提高材料的烧结性能,1 450℃烧结的1GSDC的致密度为99.30%;1 450℃烧结的1GSDC在750℃下电导率为0.050 S·cm-1,而SDC在750℃下的电导率为0.034 S·cm-1,Ge的掺杂提高了1GSDC的晶界电导;以1GSDC为电解质的单电池在750℃的最大功率密度达到552 mW/cm2.

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