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摘要
本发明属于二维材料技术领域,公开了一种磁推送可控生长的多边形单层WSe-2薄膜的CVD制备方法,按质量比4：1称取粒径为53～150μm的Se粉和23～38μm的WO-3粉作为前驱体,在距离W源1～3cm处放置Al-2O-3基片作为衬底；将前驱体与衬底分别置于CVD加热炉中,采取分段加热法和步进磁推送确保两种前驱体同时达到升华点,保温300～600s完成硒化反应。本发明通过使用粒径尺寸较小的WO-3粉末作为钨源,选用Al-2O-3基片或SiO-2/Si基片作为衬底,配合合适钨源与衬底距离以及前驱体的反应温度,使衬底所在位置的Se蒸汽与WO-3蒸汽的浓度最高,提供足够的前驱体源,从而可控地生长分布均匀、形状稳定且厚度较薄的多边形单层WSe-2薄膜。
- 单位
