偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究

作者：王丛; 高达; 王经纬; 强宇; 周立庆

来源：激光与红外, 2018, 48(07): 876-879.

• 硅
• 碲化镉
• 偏转角Si衬底
• 分子束外延

晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。

• 单位
  华北光电技术研究所