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摘要
本发明公开了一种外尔半金属异质结红外探测器及其制备方法,该探测器是在绝缘衬底的上表面依次设置有底电极和绝缘掩膜层；在掩膜层的中心处留有一与底电极相连通的通孔；在底电极上表面、位于通孔内依次沉积有两种不同的二维半导体材料,上层材料具备外尔半金属性质,在沉积过程中两种二维半导体材料会依次沿着垂直于底电极的方向逐层沉积生长形成范德瓦耳斯异质结；在掩膜层上方设置有顶电极,底电极与位于通孔内的下层半导体材料、顶电极与位于通孔内的上层外尔半金属材料皆形成欧姆接触。本发明的探测器制备工艺简单、可重复性强,所制备器件具有宽光谱响应、高灵敏度、响应速度快、易于集成等优异性能。
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