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摘要
采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga2O3∶Eu3+样品，并在空气中进行了退火处理，成功实现了Eu3+的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga2O3晶体随Eu3+注入剂量的应力变化趋势，发现随着Eu3+剂量的增加，晶格应力先增加后减少，并对其内在机理进行了分析。利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征，主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu3+发光峰。通过高斯拟合发现，该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成，分别与自陷激子和施主-受主对有关。此外，Eu3+发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响。
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