6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

作者：李现祥; 胡小波; 董捷; 姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王丽; 徐现刚; 王继扬; 蒋民华

来源：人工晶体学报, 2006, (01): 41-44.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2006.01.009

• 温度场
• 6H-SiC单晶
• 径向温度梯度
• 多型 temperature field
• 6H-SiC single crystal
• radial temperature gradient
• polytype

本文模拟了升华法生长6H-S iC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验。结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度。在不同的径向温度梯度下,6H-S iC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长。晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-S iC单晶。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学