GGA+U方法研究氧空位(VO)和不同浓度Y对ZnO光电性质的影响

作者：庞国旺; 史蕾倩; 潘多桥; 刘晨曦; 雷博程; 张丽丽^*

来源：伊犁师范学院学报(自然科学版), 2021, 15(04): 28-34.

• ZnO
• Y掺杂
• 电子结构
• 光学性质

采用GGA+U方法研究了Zn1-xYxO0.875(x=0.125、0.25、0.375)体系的电子结构和光学性质.结果表明，共掺体系中Y的掺杂浓度越高体系越容易形成；掺杂后各体系禁带中均出现杂质能级，在导带底和价带顶之间形成能量差，充当了“桥梁作用”，降低了电子发生跃迁时所需要的能量，其中Zn0.625Y0.375O0.875的能量差最小，电子最容易发生跃迁，光催化能力最强；共掺杂体系的吸收光谱出现在可见光范围内，当共掺杂体系中Y浓度为0.375 at%时，在可见光范围内出现较强的吸收峰，表明该体系对可见光的响应最好.

• 单位
  伊犁师范大学