基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响

作者：孙文斗; 顾广瑞; 孙龙; 李全军; 李哲奎; 盖同祥; 赵永年

来源：吉林大学学报(理学版), 2004, (02): 251-254.

DOI：10.13413/j.cnki.jdxblxb.2004.02.023

• BN薄膜
• 场发射
• 基底温度
• 表面粗糙度 BN films
• field emission
• substrate temperature
• surface roughness

利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.

• 单位
  延边大学; 吉林大学; 超硬材料国家重点实验室