InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究

作者：宁锦华; 唐恒敬; 张可锋; 李淘; 李永富; 李雪; 龚海梅

来源：激光与红外, 2009, (04): 411-414.

• 感应耦合等离子体
• Cl2/BCl3/Ar
• InGaAs
• PIN
• 探测器 ICP
• detector

采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院研究生院