体块氧化锌单晶生长的研究进展

作者：张素芳; 姚淑华; 王继扬; 宋伟

来源：硅酸盐学报, 2009, 37(02): 325-330.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2009.02.006

• 氧化锌单晶
• 化学气相输运法
• 水热法
• 助熔剂法
• 缺陷 zinc oxide single crystal
• chemical vapor transport method
• hydrothermal method
• flux method
• defect

氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZnO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理。介绍了体块ZnO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室; 衡水学院