AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究

作者：谭伟石; 徐金; 蔡宏灵; 沈波; 吴小山; 蒋树声; 郑文莉; 贾全杰

来源：核技术, 2004, (06): 413-416.

• AlGaN/GaN异质结构
• 倒易空间Mapping
• 应变弛豫
• 掠入射X射线衍射 AlGaN/GaN heterostructure
• Reciprocal space mappings
• Strain relaxation
• Grazing incidence X-ray diffraction CLC O472.3

在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000?的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构;利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM)。结果表明;样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联。样品势垒层的微应变已经发生弛豫;而且具有一种“非常规”应变弛豫状态;这种弛豫状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-Al2O3界面应变弛豫状态有关。掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不...

• 单位
  南京理工大学; 中国科学院高能物理研究所; 南京大学; 固体微结构物理国家重点实验室