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摘要
利用ANSYS有限元软件分析了横向磁场下不同坩埚转速对200 mm半导体级直拉单晶硅的流场及氧浓度的影响。研究结果表明：在横向磁场下，硅熔体的流场和氧浓度分布呈三维非对称性，熔体对流形式主要包括泰勒-普劳德曼漩涡、浮力-热毛细漩涡及次漩涡，其中前两者有助于氧挥发，而次漩涡则起到抑制作用。当坩埚转速较低(0.5～1.0 r/min)时，较弱的熔体对流强度导致坩埚壁与固液界面间的热传导效率低，氧主要以扩散机制迁移至固液界面，熔硅中氧浓度高；当坩埚转速较高(2～2.5 r/min)时，氧通过强对流形式迁移至固液界面。随着坩埚转速增加，次漩涡和浮力-热毛细漩涡的作用强度提高，浮力-热毛细漩涡影响区域远离自由表面，使硅熔体中的氧浓度呈先下降后上升的趋势。数值模拟结果与实验结果均表明，在横向磁场条件下优选1.5 r/min的坩埚转速可获得平均氧浓度较低的单晶硅。上述分析结果可以为横向磁场下半导体级单晶硅拉晶参数优化提供参考依据。
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