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摘要
介绍了一种平行激励MEMS磁通门的原理，并通过COMSOL多物理场仿真软件对其进行建模计及仿真分析，分别考察激励电流、被测磁场以及被测磁场频率对磁通门感应电压的影响。结果表明，感应电压二次谐波幅值随被测磁场的增高近似呈线性增大，磁通门磁场测量范围大于±100μT，频带范围大于DC～10 kHz，感应电压二次谐波幅值随激励电流的增大先增后降，最佳激励电流为37 mA，此时磁通门的感应电压最高，灵敏度最大，达1556.4 V/T。
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单位中国核动力研究设计院; 深圳技术大学; 西南应用磁学研究所
