位错与纳米裂纹干涉的反平面问题

作者：肖万伸^*; 席俊平

来源：湖南大学学报(自然科学版), 2018, 45(12): 80-84.

DOI：10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2018.12.012

• 表面效应
• 纳米裂纹
• 螺型位错
• 应力场
• 位错力

针对位错与纳米裂纹干涉的反平面问题,提出了一种新方法,得出了精确解.首先利用复变函数中的保角变换方法,将直线裂纹问题化为孔板问题,再借助于柯西积分,获得了该问题的精确解答,然后分别推导出有、无表面效应作用时的应力场和位错力的解析表达式.数值结果表明:当裂纹尺寸缩减到纳米量级时,表面效应的影响使裂纹尖端附近的应力场和位错力减小,但随着裂纹长度的增大,表面效应的影响能力逐渐减弱,含表面效应的解答逐渐趋近于无表面效应的经典弹性理论解答.

• 单位
  湖南大学