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摘要
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法,该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲,然后在N2气氛下退火,并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明,使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高,增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。
- 单位
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法,该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲,然后在N2气氛下退火,并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明,使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高,增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。
