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摘要
本实用新型公开了一种高压AlGaN/GaN HEMT器件。所述器件包括AlGaN/GaN外延,AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极,所述源漏电极靠近源极侧设置p-GaN层,在所述p-GaN层由中心向两侧进行开槽,并在开槽处设置栅电极,形成T型栅。由于栅极两侧的p-GaN层可以拉伸下方的AlGaN势垒层的能带,从而影响栅极边缘的电场分布,结合T型栅场板的作用,降低了靠近漏极侧栅极边缘的电场峰值,提高了器件的击穿电压。
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本实用新型公开了一种高压AlGaN/GaN HEMT器件。所述器件包括AlGaN/GaN外延,AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极,所述源漏电极靠近源极侧设置p-GaN层,在所述p-GaN层由中心向两侧进行开槽,并在开槽处设置栅电极,形成T型栅。由于栅极两侧的p-GaN层可以拉伸下方的AlGaN势垒层的能带,从而影响栅极边缘的电场分布,结合T型栅场板的作用,降低了靠近漏极侧栅极边缘的电场峰值,提高了器件的击穿电压。
