<正>IC单元及其制造方法,以及包括该IC单元的电子设备申请人:中国科学院微电子研究所本发明提供一种集成电路(IC)单元及其制造方法,以及包括该IC单元的电子设备。根据一个实施例,IC单元包括用于第一器件的第一源极/漏极层,沟道层和第二源极/漏极层,以及在衬底上依次层叠的用于第二器件的第一源极/漏极层,沟道层和第二源极/漏极层。在第一器件中,沟道层包括彼此
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