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摘要
荷孔忆阻器是一种具有记忆功能的二端式电路元件,按照Φ-q关系式与泰勒级数模式所构建的荷控忆阻器等效电路分析模型,对三次非线性荷控忆阻器模型进行深入探究分析,面向基于不同参数条件的荷控忆阻器特性开展研究,即是否有源性以及伏安关系等等。经过分析可以得出,忆阻器伏安关系拥有斜体8字形紧磁滞的回线特点,随着参数符号改变,荷控忆阻器同样会于有源性与无源性间实时转换,使得电路特性也随之变化。相比无源性荷控忆阻器,有源性荷控忆阻器更加适用于二次谐波信号。
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单位沈阳工程学院
