摘要
针对5G移动通信系统中频段,基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款宽带高增益驱动放大器。该放大器采用并联式负反馈的两级放大结构,运用等Q值法设计宽带的输入、级间和输出匹配网络,实现了覆盖2.5~5 GHz工作频段和25 dB以上的小信号增益。放大器的输出匹配网络在片外基板上实现,采用方形扁平无引脚(QFN)封装。测试结果表明,室温下,设计的驱动放大器全频段饱和输出功率大于26 dBm,饱和工作效率大于32%,1 dB压缩点输出功率大于24 dBm。在采用输入功率0 dBm、间隔1 MHz的双音信号测试下,全频段的输出三阶交调点均大于30.5 dBm。采用4G-LTE、时分双工、下行和带宽20 MHz的调制信号,分别在2.6、3.6和4.9 GHz三个工作频点测试,放大器的输出功率为15 dBm时,邻近信道功率比(ACPR)约为-38 dBc。
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