CeO_2掺杂BNLKT陶瓷的压电性能与微观结构

作者：廖运文; 赁敦敏; 肖定全; 魏群; 庄严; 朱建国; 余萍

来源：压电与声光, 2006, (05): 554-556.

• 无铅压电陶瓷
• Bi_(0.5)(Na-(1-x-y)Li_xK-y)_(0.5)TiO_3
• CeO-2掺杂
• 压电常数
• 机电耦合系数 lead-free piezoelectric ceramics
• Bi_(0.5)(Na_(1-x-y)Li_xK_y)_(0.5)TiO_3
• CeO_2-doping
• piezoelectric constant
• electromechanical coupling factor

利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO2掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明,掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3钙钛矿结构的晶格;SEM观察结果表明,少量的CeO2掺杂可改进该陶瓷的微结构;介电压电性能研究结果表明,CeO2掺杂对该陶瓷体系的综合性能有较大改善,室温下该体系配方的压电常数d33可达199 pC/N,径向机电耦合系数kp达39.3%,同时降低了陶瓷的介电损耗(tanδ=2.0%),提高了其机械品质因数。

• 单位
  西华师范大学; 四川大学; 广州杰赛科技股份有限公司