血浆氧化还原电位在造血干细胞移植术后移植物抗宿主病监测中的临床应用

作者：钟凌; 陈姣; 黄晓兵; 李焱鑫

来源：实用医院临床杂志, 2017, 14(04): 33-36.

• 氧化还原电位
• 血浆
• 造血干细胞移植
• 移植物抗宿主病

目的探讨血浆氧化还原电位在监测移植物抗宿主病(graft versus-host disease,GVHD)中的临床应用。方法随访2009年1月至2015年12月进行造血干细胞移植的患者59例,移植术后定期随访同时取空腹静脉血,测定血浆氧化还原电位。正常对照组由59例健康体检者组成。结果正常对照组血浆RP值为-56.2-11.2 m V。42例未发生GVHD患者血浆RP值为-20.821.1 m V,RP值波动幅度△m V为4.411.3 m V。17例发生GVHD患者血浆RP值为10.638.8 m V,△m V为25.861 m V。急性GVHD I级患者血浆RP值为9.827.3 m V,II级为3.735.1 m V,III级为19.643.9 m V,IV级为25.449.5 m V。结论血浆RP值的变化与GVHD可能具有一定的关联,且无创、简便,适宜于临床推广。

• 单位
  四川省医学科学院(四川省人民医院); 四川省医学科学院（四川省人民医院）; 四川省医学科学院·四川省人民医院