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摘要
EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法，二者属于器件级定位，能够将失效缩小至局部，但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上，提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析，确认标记点是否属于失效的功能电路；再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构，最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示，基于电路和版图辅助法，可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效，提高了失效分析的成功率。
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