一种近阈值电压标准单元特征化建库方法

作者：胡伟; 安文婷; 袁甲^*

来源：湖南大学学报(自然科学版), 2019, 46(04): 85-90.

DOI：10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2019.04.012

• 近阈值
• 标准单元库
• 查找表
• 库文件

面向近阈值电压下库单元的实际使用情况,针对传统库文件查找表误差较大的问题,提出了一种近阈值电压下对标准单元的特征化建库方法.通过对标准单元实际应用情况的分析,重新界定了查找表的边界;通过分析电路综合结果与电路仿真结果的相对误差,重新确定了查找表的规模;从而提高了近阈值电压下标准单元库准确性.该方法对smic55nmCMOS工艺的库文件在0.6 V电压下特征化建库,并进行误差评估,结果表明,该方法相较于传统方法建立的库文件,准确性提高了16%～63.51%,减小了查找表误差,有效提高了库文件的准确性.

• 单位
  中国科学院微电子研究所