采用Silvaco TCAD软件构建了立方氮化硼（cBN）基台面结构pin型光电探测器数值计算模型，采用控制变量法研究了n型、i型、p型cBN层材料掺杂浓度、厚度对探测器光电性能的影响，并利用器件物理相关理论对结果进行了分析与讨论。结果表明：p型cBN层掺杂浓度增大时，光电流、暗电流和内量子效率先增大后减小；i型层掺杂浓度增大时，暗电流减小；n型层掺杂浓度增大，光电流、内量子效率增加；光电流和内量子效率随着p层厚度的增大而减小，随着i层厚度的增加而增大；n层厚度越大，光电流越大。
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