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摘要
文章针对采用ALD氧化铝+PECVD氮化硅背钝化路线的PERC太阳电池制备过程中，ALD单面沉积氧化铝时伴随的绕镀问题，采用PECVD法，在相对较低的反应腔体温度下，利用等离子体轰击，重点去除硅片边缘绕镀的氧化铝，而后利用同次工艺后段氮化硅沉积时的退火作用修复轰击造成的损伤。同时，通过氮化硅膜中的氢对硅片表面进行钝化处理，去除ALD绕镀的氧化铝，提高硅片的整体钝化性能，降低金属化工序中对浆料及烧结工艺的要求，有利于提升PERC太阳电池的转换效率。
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文章针对采用ALD氧化铝+PECVD氮化硅背钝化路线的PERC太阳电池制备过程中，ALD单面沉积氧化铝时伴随的绕镀问题，采用PECVD法，在相对较低的反应腔体温度下，利用等离子体轰击，重点去除硅片边缘绕镀的氧化铝，而后利用同次工艺后段氮化硅沉积时的退火作用修复轰击造成的损伤。同时，通过氮化硅膜中的氢对硅片表面进行钝化处理，去除ALD绕镀的氧化铝，提高硅片的整体钝化性能，降低金属化工序中对浆料及烧结工艺的要求，有利于提升PERC太阳电池的转换效率。
