具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性

作者：乔明; 周贤达; 段明伟; 方健; 张波; 李肇基

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (09): 1428-1432.

• 高压互连线
• 多区
• 双RESURF
• LDMOS
• 击穿电压 HVI
• multiregion
• double RESURF
• breakdown voltage

对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低高压互连线对器件耐压的影响.实验与仿真结果表明,器件的击穿电压随着互连线宽度的减小而增加,并与P-top降场层浓度存在强的依赖关系,三维仿真结果与实验结果较吻合,而二维仿真并不能较好反映具有高压互连线的高压器件击穿特性.在不增加掩模版数、采用额外工艺步骤的条件下,具有30μm高压互连线宽度的多区双RESURF LDMOS击穿电压实验值为640V.所设计的高压...

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学