量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响

作者：陆敏; 杨志坚; 潘尧波; 陆羽; 陈志忠; 张国义

来源：稀有金属, 2007, S2: 33-35.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.2007.s2.018

• 紫光二极管
• MOCVD
• GaN
• 量子阱结构 Violet LED
• MQW structure

采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片。对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片。

• 单位
  物理学院; 人工微结构和介观物理国家重点实验室; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 北京大学