一种高阶温度补偿的带隙基准电压源

作者：周前能; 徐海峰; 李红娟; 万天才

来源：微电子学, 2018, 48(06): 765-773.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180007

• 带隙基准电压源
• 高阶温度补偿
• 电源抑制比

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源。采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管替代传统基准电压源中的PNP管,增加了高温区域曲率补偿电路和低温区域温度分段补偿电路。该带隙基准电压源获得了低温漂的性能。仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,该带隙基准电压源的温度系数达到1.997×10-6/℃,在频率为1Hz、10Hz、100Hz、1kHz、100kHz时,分别获得了-77.84dB、-77.84dB、-77.83dB、-77.42dB、-48.05dB的电源抑制比。

• 单位
  重庆邮电大学