圆形电容结构的HEMT器件沟道区电场分布测量结构和方法

作者:郑雪峰; 马晓华; 龚星星; 张豪; 王冲; 吕玲; 马佩军; 郝跃
来源:2020-11-20, 中国, ZL202011311567.2.

摘要

本发明公开了一种HEMT器件沟道区电场分布测试图形及其制备方法、测试方法,应用于圆形电容结构的HEMT器件,主要解决现有技术不能对HEMT器件沟道电场强度分布进行测量的的问题。其实现方案是:在待测HEMT器件上制作辅助测试结构,即位于栅极和漏极之间势垒层中的一系列欧姆接触电极,然后将被测HEMT器件加上关态偏置,依次测量辅助测试结构中每个欧姆电极到地的电压,最后将相邻电极的电压差值除以待测欧姆电极与栅极距离的差值,即得到沟道电场强度分布。本发明测试方法快速简便,结果准确可靠,能够为后续分析器件耐压特性与提高器件可靠性提供重要依据。