不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值

孙绍涛; 季来林; 王正平; 牟晓明; 孙洵; 许心光; 史崇德

摘要

生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。

单位
晶体材料国家重点实验室; 山东大学; 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所; 中国人民解放军海军航空工程学院

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更新时间：2021-05-16 09:04

不同方法DKDP晶体生长和损伤阈值

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