抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

作者：李燕妃; 朱少立; 吴建伟; 徐政; 洪根深

来源：电子与封装, 2019, 19(02): 38-41.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0021

• 高压SOI NMOS
• 背栅效应
• 总剂量
• 抗辐射加固

通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所