拉伸应变对Se、As共掺杂、含有S缺陷的MoS2电子结构的影响

作者：姜艳; 王天爽; 刘贵立; 王佼; 韩晶晶

来源：材料科学与工程学报, 2022, 40(05): 879-882.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2022.05.025

• 掺杂
• 缺陷
• 拉伸应变
• MoS2
• 电子结构

利用第一性原理研究了Se、As共掺杂、有S缺陷及拉伸应变对S缺陷的MoS2材料电子结构的影响。研究发现，Se、As共掺杂后，MoS2能隙增大，而含有S缺陷的模型能隙值减小，施加拉伸应变及Se、As共掺杂使模型能隙值变为0 eV,表现为金属性。相比于无形变模型，拉伸形变使模型的能隙值减小。改性及拉伸形变使结构中Mo-S原子之间电荷密度减小，Mo原子周围电荷聚集度降低，电荷转移至Se-S、As-S周围成键，提高了电子转移及跃迁可能性。

• 单位
  沈阳工业大学; 贺州学院; 北京工业职业技术学院