一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱

作者：李国强; 林静; 余粤锋; 张志杰

来源：2019-10-22, 中国, ZL201921779152.0.

本实用新型公开了一种二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱。该二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InxGa1-xN纳米柱；其中0≤x≤1。本实用新型采用二维MXene作为衬底与InxGa1-xN纳米柱之间的功能层,不仅拓宽了衬底的选择范围,降低了成本；还有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗,有利于增强载流子输运性能,大幅度提高纳米柱的光电性能；同时避免了纳米柱在衬底上容易被刻蚀的缺点,提高其光电稳定性。总之,二维MXene功能化的InxGa1-xN纳米柱在光电解水制氢、光电探测器、太阳能电池中具有重要应用前景。

• 单位
  华南理工大学