摘要
本发明公开了一种用于海水光电催化高效析氢的Ni-3S-2/SiNWs阴极材料及其制备方法,采用金属辅助化学刻蚀的方法制备硅纳米线基底,然后依次通过光电沉积和化学气相沉积工艺在硅纳米阵列上生长Ni-3S-2纳米催化剂。本发明的制备方法与传统的二元催化剂复合工艺方法相比,在SiNWs基底表面直接沉积生长助催化剂具有更强的附着力;并且Ni-3S-2具有较高的导电性,可以有效改善硅基材料的电荷传输速率;Ni-3S-2与p-Si的纳米结构具有较大的比表面积,在阴极表面构筑了大量H~+吸附和水分解活性位点,因此Ni-3S-2/SiNWs阴极材料在光电催化海水析氢体系中具有电荷转移电阻小、表面活性位点多、高效析氢的优势。
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