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摘要
本专利公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器,包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射,P型衬底上接电源的阴极,I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区,N型层外接电源的阳极。本专利结构简单,易于制备,同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数,提高信噪比。
- 单位
本专利公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器,包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射,P型衬底上接电源的阴极,I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区,N型层外接电源的阳极。本专利结构简单,易于制备,同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数,提高信噪比。
