摘要
新型拓扑材料和拓扑相的探索是近年来凝聚态物理中的热点方向.本文发现铟插层的过渡金属硫族化合物In_xTaSe_2 (112体系)具有两个外尔环,以及电荷密度波(CDW)和超导电性共存的特点.在x=0.58的样品中,发现在116和77 K温度以下具有2×3~(1/2)和2×2的公度CDW,这可以被电阻率、比热和扫描隧道显微镜等测量证实.角分辨光电子能谱测量发现2×2 CCDW会打开其中一个外尔环的能隙,而另一个外尔环仍然存在,且具有理论预言的"drumhead"型表面态.另外, T_c=1 K的超导电性和低温偏离s波的临界场行为表明这个材料很可能是拓扑超导体,这为探索拓扑超导电性提供了新体系.
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