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摘要
近年来,具有巨磁阻性质的材料,因其电阻随施加的磁场而显著变化,是现代电子设备中的关键材料。巨磁电阻碲化物由于具有无法预见的大的非饱和磁阻、超高迁移率以及反常霍尔效应等特性,可以用于强磁场探测、信息记录领域以及磁阻器件等(例如计算机的硬盘驱动器),有着重要的科学意义和广阔的应用前景。具有准二维特征、非平庸拓扑能带结构的金属碲属化合物,以及一维碲属银化物作为非饱和线性巨磁阻重要材料体系,表现出了优异的性质,被研究者重视。然而,目前该类材料仍存在一些问题,主要体现在:(1)合成方面。目前还未实现大规模生产高质量的大面积薄层、块体材料,这限制了其开发和应用。(2)性能与结构方面。巨磁阻、热电性能、压致超导、低能光吸收等优良特性已有研究,而通过掺杂等方法调节载流子浓度以提高巨磁阻性能还未被分析透彻。近年来,研究者主要从亟待解决的制备和性能问题展开研究,取得了重大进展。通过采用自上而下的技术已经证明以低成本制备层状材料是可能的,而自下而上的制备技术目前应用较广,例如化学气相沉积、助熔剂法等一系列方法,可以制备具有少量缺陷的高质量材料。磁电阻性能方面,碲属线性巨磁阻材料具有的各向异性磁电阻强烈依赖于角度和温度,当磁场、电场与晶轴取向不同时,磁电阻数值方面有很大区别,该类材料在低温0.53 K、高磁场60 T条件下,具有高至1 300 000%的磁电阻。相结构方面,过渡金属碲属化合物在2H相或者T、T’和Td畸变中是较稳定的,并可以诱导可逆相变。低能电子结构方面,费米面附近的电子-空穴口袋的尺寸和数量实现完美补偿,可成为巨磁阻效应特征出现的原因。本文以二维MoTe2、WTe2和一维Ag2Te材料为代表,综述了近年来碲属线性巨磁阻材料的化学制备方法,以及性能与结构之间的密切关系,对比并提出了不同维度的线性磁阻材料制备方法的优缺点,并利用晶体各向异性等材料设计与合成策略来实现化学制备。探讨了该类材料晶体的磁电阻性能和结构的关系,总结了其在光电应用方面的重要意义,并展望了可通过掺杂、改性以有望改善性能的方式来激发该类材料在电子器件方面潜在的应用前景。
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