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摘要
InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能，是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素，优化了材料结构和版图设计，最终采用三台面湿法化学腐蚀工艺、自终止工艺、自对准光刻工艺和空气桥工艺等加工工艺研制得到发射极线宽0.7μm的InP DHBT器件，并配套集成了平行板电容和金属薄膜电阻，片内器件一致性良好。不断缩小器件基区台面面积，器件电性能最终实现：最大直流增益β为30,10μA下的集电极-发射极击穿电压BVCEO为3.2 V,截止频率fT为358 GHz,最大振荡频率fmax为407 GHz。测试结果表明，该器件可应用于220 GHz放大器、100 GHz以下压控振荡器等数模混合集成电路。
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