一种L～E波段的A型上电极MEMS单刀三掷开关设计

作者：宁朝东; 湛永鑫; 吴倩楠^*; 王俊强; 李孟委

来源：微电子学, 2023, 53(03): 506-511.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220230

• 宽频带
• 高隔离度
• MEMS
• SP3T

针对单刀多掷开关(SPMT)在相控阵雷达、宽带收发器中用于切换滤波器和传输线时需要满足宽频带、高隔离度的性能需求，设计了一种宽频带、高隔离度的MEMS单刀三掷开关(SP3T)。通过ANSYS电磁仿真软件中的HFSS模块对MEMS SP3T开关进行优化，利用COMSOL软件对上电极的机械性能进行仿真。仿真结果表明，所设计的MEMS SP3T开关可工作在1～90 GHz的频带内，且插入损耗小于1 dB@90 GHz,隔离度大于35 dB@90 GHz,其整体体积约为0.75 mm3。

• 单位
  中北大学