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摘要
文章对原子层淀积（ALD）Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅（Si）掺杂浓度的SZO薄膜，XRD测量结果表明，SZO薄膜为多晶结构，AFM测量结果表明，掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高，SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小，电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上，光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控，在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.
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