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摘要
本发明公开了基于异质结的超结氧化镓晶体管及其制作方法与应用,属于半导体材料和器件技术领域。所述超结氧化镓晶体管包括超结结构,所述超结结构为在所述晶体管的氧化镓漂移区上形成的交错排列的氧化镓基异质PN结。本发明通过在氧化镓沟道的漂移区形成异质超结结构,对氧化镓漂移区电场分布模式进行修正,有效降低栅极边缘尖峰电场,将漂移区电场由栅极边缘向漏极方向扩散,实现氧化剂晶体管击穿电压与导通电阻制约关系的突破,可以获得更高击穿电压和更低导通电阻,获得优异性能的氧化镓器件,为氧化镓器件在电子电力领域的广泛应用奠定了坚实的基础。
- 单位
