Sm:GdVO_4晶体的生长及光谱性能研究

作者：何晓明; 张连翰; 陈光珠; 何明珠; 杭寅

来源：人工晶体学报, 2008, (03): 514-518.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.03.002

• Sm:GdVO4晶体
• 光谱性能
• J-O理论 Sm:GdVO4 crystal
• spectroscopic properties
• Judd-Ofelt theory

应用中频感应提拉法生长出掺杂浓度为2%原子分数的Sm:GdVO4晶体,研究了室温下c轴方向Sm:GdVO4晶体的吸收和荧光光谱。通过J-O理论计算出强度参数(Ωt),同时计算了对应于4G5/2能级的自发跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命。通过荧光光谱计算了对应于566、604和646nm三个发射峰对应的发射截面,结果表明,Sm:GdVO4在604nm的发射截面最大,是掺Sm:YAP在607nm处发射截面的4.4倍。

• 单位
  中国科学院