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摘要
受新能源汽车、5G通信、光伏和储能等应用需求带动，以及在全球科技博弈加剧的背景下，近年来宽禁带半导体受到全球各国政府与产业界的高度重视和广泛关注，已成为全球经济增长潜力巨大的战略性产业。应该看到，氧化镓相比碳化硅、氮化镓具有更宽的禁带宽度（约4.9eV禁带宽度），以及具有8MV/cm的理论临界击穿场强，是一种新兴的超宽禁带半导体材料，可用于制备功率器件、微波射频器件以及日盲紫外探测器等半导体器件，在高压电力控制、射频通信和火焰探测等领域具有重大应用价值，已成为国际科技战略必争高地。本文研究了全球氧化镓产业发展现状，剖析了产业发展面临的机遇和挑战，并提出了对我国发展氧化镓产业的几点启示。
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单位中国电子信息产业发展研究院
