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摘要
本文利用离子液体调控对FeSe薄膜进行电子掺杂,研究了超导增强过程中FeSe超导涨落行为的演化.顺电导分析表明,随着温度降低,超导涨落维度从二维过渡到三维;并且,随着电子掺杂,三维涨落的温度区间逐渐减小,这表明FeSe层间耦合强度逐渐减弱,体系二维性增强.FeSe调控后的高Tc态与插层FeSe基材料不仅具有相近的Tc（～40 K）,并且都表现出较强的二维性,这暗示着二维性的增强对于FeSe超导的增强起着重要作用.
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本文利用离子液体调控对FeSe薄膜进行电子掺杂,研究了超导增强过程中FeSe超导涨落行为的演化.顺电导分析表明,随着温度降低,超导涨落维度从二维过渡到三维;并且,随着电子掺杂,三维涨落的温度区间逐渐减小,这表明FeSe层间耦合强度逐渐减弱,体系二维性增强.FeSe调控后的高Tc态与插层FeSe基材料不仅具有相近的Tc（～40 K）,并且都表现出较强的二维性,这暗示着二维性的增强对于FeSe超导的增强起着重要作用.
