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摘要
本发明公开了一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器及其制备方法。器件结构自下而上依次为：第一层是衬底、第二层是石墨烯以及搭在石墨烯上的平面开口环天线和与天线相连的金属电极、第三层是介质层,第四层是栅极。器件制备步骤是采用湿法转移技术将石墨烯转移到衬底上,制备平面开口环天线和金属电极,用氧离子刻蚀对石墨烯图形化作为沟道材料,用原子层沉积工艺生长栅介质层,制备栅极,形成太赫兹探测器。其工作原理是,石墨烯内载流子的浓度和速度受到太赫兹电场的调控,发生分布式电阻自混频,产生直流响应信号。该探测器具有高速、宽频和高响应率等特点,可实现源漏偏压和栅压的双重调控,为实现室温太赫兹探测器大规模应用奠定基础。
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