Ni_(50.3)Mn_(27.3)Ga_(22.4)磁性形状记忆合金薄膜的磁场增强马氏体相变应变研究

作者：刘超; 牟海维; 孙祺; 张坤

来源：科学技术与工程, 2012, (16): 3827-3830.

• NiMnGa
• 形状记忆合金
• 薄膜
• 马氏体相变 Ni-Mn-Ga shape memory alloy thin film martensitic transformation

采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜。研究薄膜的晶体结构、磁化行为以及磁场对马氏体相变应变的影响。试验结果表明,经823 K退火1 h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜,室温下处于奥氏体态,呈较强的(110)织构特性,且室温饱和磁化强度约为40 emμ/g。试验还发现,当沿膜面方向施加0到0.8 T磁场时,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大,呈现出磁场增强马氏体相变应变效应。

• 单位
  东北石油大学