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摘要
采用直流磁控双靶共溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶态的TbFe磁致伸缩薄膜,研究了溅射功率、工作气压等工艺参数对薄膜成分的影响。研究结果表明:当溅射功率从20 W增加到100 W时,TbFe薄膜中Tb含量从35.77at%增加到44.54at%;工作气压从0.2 Pa增加到1.0 Pa时,TbFe薄膜中Tb含量从38.02at%增加到44.1at%。重点研究了真空退火处理对TbFe薄膜磁性及磁致伸缩性能的影响。结果表明,真空退火处理有利于提高平行于膜面的饱和磁化强度和磁导率;350℃真空退火60 min,在外加磁场为5 kOe条件下,TbFe薄膜的磁致伸缩系数可达到351×10-6。
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